技術(shù)編號(hào)：40284035
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及含氟醚化合物、磁記錄介質(zhì)用潤(rùn)滑劑以及磁記錄介質(zhì)。本申請(qǐng)基于年月日在日本申請(qǐng)的特愿-號(hào)來(lái)主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援用到本文中。背景技術(shù)、為了使磁記錄再生裝置的記錄密度提高，適于高記錄密度的磁記錄介質(zhì)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展。、以往，作為磁記錄介質(zhì)，有在基板上形成記錄層，在記錄層上形成了碳等的保護(hù)層的磁記錄介質(zhì)。保護(hù)層保護(hù)被記錄于記錄層的信息，并且提高磁頭的滑動(dòng)性。然而，僅在記錄層上設(shè)置保護(hù)層，不能充分獲得磁記錄介質(zhì)的耐久性。因此，一般而言，在保護(hù)層的表面涂布潤(rùn)滑劑而形成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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