技術(shù)編號：40368625
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非制冷紅外探測器，更具體涉及一種非制冷紅外探測器像素級封裝結(jié)構(gòu)及制備方法。背景技術(shù)、非制冷紅外探測器像素級封裝是將封裝工藝融入到整個mems(微機(jī)電系統(tǒng))工藝制程中，在已完成紅外mems微橋的基礎(chǔ)上采用特定膜層進(jìn)行封裝，以實現(xiàn)單晶圓集成工藝的薄膜封裝。這種封裝方式對于提高探測器的性能、降低成本和體積具有重要意義。然而，在構(gòu)建整個封裝結(jié)構(gòu)的過程中，確實存在一些技術(shù)挑戰(zhàn)，特別是在微結(jié)構(gòu)上制作用于腔體支撐的柱子時，柱子應(yīng)為實心柱，才能保證結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。然而常規(guī)的半導(dǎo)體長膜設(shè)備，如pvd(物...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。