技術(shù)編號：40384456
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲器及電子設(shè)備。背景技術(shù)、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)是目前的計算機、手機終端等電子產(chǎn)品中常見的組成器件。目前常見的動態(tài)隨機存取存儲器中通常采用tc(transistor?capacitor)的結(jié)構(gòu)，即一個存儲單元中含有一個晶體管和一個電容器，其中電容器用于存儲數(shù)據(jù)。在讀取數(shù)據(jù)時會消耗電容器的電荷量，且電容器自身也會漏電，因此需要不斷地刷新電容器中的電荷，這導(dǎo)致其功耗較大...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。