技術(shù)編號：40385226
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)、半導(dǎo)體集成電路(ic)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級增長。ic材料和設(shè)計(jì)中的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。在ic發(fā)展的過程中，功能密度(即，每芯片區(qū)的互連器件的數(shù)量)普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創(chuàng)建的最小組件(或線))已經(jīng)減小。這種縮小工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供益處。這樣的縮小也增加了處理和制造ic的復(fù)雜性。、例如，隨著ic技術(shù)朝著更小的節(jié)點(diǎn)發(fā)展，已經(jīng)引入了多柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。