技術(shù)編號：40386675
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)涉及單晶生長，特別是涉及一種充氧機構(gòu)及包括該充氧機構(gòu)的烘烤裝置。背景技術(shù)、在單晶生長領(lǐng)域中，需要使用坩堝浸潤晶體，而該坩堝需要通過充氧烘烤處理以在坩堝表面形成氮化硼氧化膜層，從而使得坩堝能夠更好的浸潤晶體；現(xiàn)有的坩堝烘烤裝置中的充氧機構(gòu)如圖所示，包括容器和進氣管，容器內(nèi)可容納多個坩堝，進氣管的氧氣出口是直接設(shè)在容器的開口處的，這導(dǎo)致在通過進氣管對容器進行充氧時，容器內(nèi)靠近開口處的區(qū)域的氧氣濃度遠遠大于容器內(nèi)遠離開口處的區(qū)域的氧氣濃度，從而使得在通過烘烤裝置對坩堝進行...
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