技術(shù)編號：40386684
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及光伏電池領(lǐng)域，尤其涉及一種摻雜多晶硅材料及其制備方法、電池和微波退火爐。背景技術(shù)、目前，現(xiàn)有技術(shù)常采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（pecvd）技術(shù)制備topcon類電池所需的摻雜多晶硅層（poly層），包括p型摻雜和n型摻雜，其制備方法一般為采用氣態(tài)烷類化學(xué)源作為反應(yīng)物實(shí)現(xiàn)poly層的生長及在線摻雜，制備出來摻雜多晶硅摻雜濃度偏低，使其性能受限，同時還有大量的原子未被活化。、現(xiàn)有的高溫活化方式摻雜濃度已達(dá)到上限，如何進(jìn)一步提高摻雜原子的活化濃度，提升電池的鈍化性能、降低摻雜poly層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。