技術(shù)編號(hào)：40388493
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)、本公開(kāi)涉及相變存儲(chǔ)(phase-change?memory，pcm)器件及其制造方法。、通過(guò)改進(jìn)工藝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)、編程算法和制造工藝，平面存儲(chǔ)單元被縮放到更小的尺寸。然而，隨著存儲(chǔ)單元的特征尺寸接近下限，平面工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性且成本高昂。結(jié)果，平面存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)密度接近上限。、三維(three-dimensional，d)存儲(chǔ)器架構(gòu)可以解決平面存儲(chǔ)單元中的密度限制。d存儲(chǔ)器架構(gòu)包括存儲(chǔ)陣列和用于控制進(jìn)出存儲(chǔ)陣列的信號(hào)的外圍器件。例如，pcm可以基于相變材料的電熱加...
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