技術(shù)編號：40388817
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種溫度控制方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。背景技術(shù)、在例如物理氣相沉積(physical?vapor?deposition,pvd)設(shè)備等半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，在真空環(huán)境下控制加熱基座升溫到設(shè)定溫度，利用高能量粒子轟擊靶材表面使靶材中的原子沉積到硅片的過程中，腔室基座的溫度高低和波動都會影響硅晶片鍍膜工藝的質(zhì)量。、但在對腔室基座的溫度進(jìn)行控制過程中，承載面上各溫度控制區(qū)獨(dú)立控制，在需要升溫和降溫的時(shí)候每個(gè)溫度控制區(qū)根據(jù)自己的控制回路獨(dú)立控制，導(dǎo)致各溫度控制區(qū)的溫度變化...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。