技術(shù)編號：40389078
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其是涉及一種半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法。背景技術(shù)、rc-igbt(逆導(dǎo)型絕緣柵型雙極晶體管reverse?conducting-insulated?gatebipolar?transistor)是指在單個芯片上集成了igbt(絕緣柵型雙極晶體管insulatedgate?bipolar?transistor)和frd(快恢復(fù)二極管fast?recovery?diode)。一般而言，行業(yè)中通常將igbt和frd通過集總式或分布式的方法，集成在芯片的元胞區(qū)，二者共用終端，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。