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      一種原子層氣相沉積設(shè)備用片架的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):40390186

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      本技術(shù)涉及原子層氣相沉積,具體為一種原子層氣相沉積設(shè)備用片架。背景技術(shù)、ald(atomic?layer?deposition)即原子層氣相沉積技術(shù),指通過(guò)將氣相前軀體脈沖交替的通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成薄膜的一種技術(shù)。ald沉積的薄膜,致密性好,折射率好,膜厚均勻性好,可以實(shí)現(xiàn)度任何不規(guī)則基體表面均勻沉積,膜厚可控。但是也存在一些缺點(diǎn),比如沉積速度太慢,單次生產(chǎn)產(chǎn)品數(shù)量少。為了使沉積效率提高,薄膜質(zhì)量更好,外觀無(wú)缺陷,購(gòu)買(mǎi)的原子層氣相沉積設(shè)備有一部分會(huì)進(jìn)行內(nèi)部改造,而...
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