技術(shù)編號(hào):40394807
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體mosfet器件可靠性的表征和測(cè)試,具體涉及一種對(duì)高性能電子器件尤其是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfets)器件在交流應(yīng)力下經(jīng)時(shí)擊穿效應(yīng)的表征技術(shù)。背景技術(shù)、過(guò)去幾十年中,隨著cmos集成電路技術(shù)的發(fā)展,電路中的最核心單元-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfets)的尺寸遵從摩爾定律逐步減小,從微米(μm)縮短至nm級(jí),晶體管器件密度和性能不斷提高。衡量晶體管可靠性的重要指標(biāo)之一為柵極介質(zhì)的經(jīng)時(shí)擊穿效應(yīng)(tddb)。tddb指的是在晶體管柵極施加長(zhǎng)時(shí)間偏置電壓導(dǎo)致柵...
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