技術(shù)編號(hào)：40395299
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種基于對(duì)稱性分裂柵結(jié)構(gòu)的溝槽型sicmosfet器件及制備方法。背景技術(shù)、相比硅材料，碳化硅（silicon?carbide,?sic）材料具有更寬的禁帶寬度、更高的臨界電場(chǎng)、更快的載流子飽和漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。這些優(yōu)越特性使sic成為制備高壓電力電子器件的理想材料，廣泛應(yīng)用于大功率、高溫、高壓及抗輻照等電力電子領(lǐng)域，展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。、sic?mosfet是一種柵控型器件，具有單極輸運(yùn)工作機(jī)制的特點(diǎn)，無電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。與雙極性器件相比，它能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。