技術(shù)編號：40396332
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種浪涌電流發(fā)生裝置、功率器件的浪涌評估系統(tǒng)、功率器件的浪涌評估方法、計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)和電子設(shè)備。背景技術(shù)、mosfet器件的主要制約因素為其可靠性，器件的可靠性直接影響到系統(tǒng)的可靠穩(wěn)定性運(yùn)行，一旦器件出現(xiàn)退化或失效，可能會引起變換器等的安全運(yùn)行或造成重大安全問題。為此，需探究mosfet器件在不同工況下的退化特性及失效特性。、在實(shí)際變換器應(yīng)用中，mosfet器件可能承受或單次或多次的浪涌電流（surgecurrent）沖擊的情況，雷電脈沖或電源開關(guān)都可能引...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。