技術(shù)編號(hào)：40397766
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種氮化鎵功率器件，還涉及一種氮化鎵功率器件的制備方法。背景技術(shù)、當(dāng)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)功率器件的要求與日俱增，然而以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極性晶體管為主的硅基功率器件的性能已經(jīng)逼近其材料的理論極限，無法滿足下一代電力電子系統(tǒng)對(duì)功率器件更高的要求。氮化鎵材料作為寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，與傳統(tǒng)硅材料相比，具有寬禁帶寬度、高電子飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，是大功率、高溫、高頻和抗輻照應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。、氮化鎵高電子遷移率晶體管...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。