技術(shù)編號：40398409
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及沖壓，具體涉及一種igbt金屬件制作方法及igbt金屬件。背景技術(shù)、igbt(insulated?gate?bipolar?transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是由bjt(bipolar?junction?transistor，雙極型三極管)和mos(metal-oxide-semicon-ductorfield-effect?transistor，絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。igbt主要起到連接和傳輸作用，其廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)或光伏半導(dǎo)...
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