技術(shù)編號：40400255
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件，尤其是涉及一種集成溝槽和n型懸浮結(jié)的肖特基勢壘二極管及制備方法。背景技術(shù)、sic?jbs(碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管)是一種低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。在當(dāng)前sic?jbs的主流器件中，器件正向?qū)〞r，為了降低器件正向?qū)娮?，p型離子注入摻雜區(qū)的面積要根據(jù)工藝能力設(shè)計為最小值，并且為了有效降低曲率效應(yīng)對器件反向擊穿電壓的影響，肖特基勢壘區(qū)域應(yīng)設(shè)計為圓形、正六邊形或正八邊形，相應(yīng)地p區(qū)作為阻止電流通過的區(qū)域，大多被設(shè)計成條形、方形、正六邊形等。、由于sic?pn結(jié)...
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