技術編號：40401916
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開實施例涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其制造方法。背景技術、傳統(tǒng)的動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)的存儲單元包括一個晶體管和一個電容(transistor?capacitor，tc)，晶體管的柵極和字線連接，晶體管的源極和位線連接，晶體管的漏極和電容連接。tc存儲單元依靠電容進行存儲需要頻繁地刷新，無疑會顯著地增加功耗。此外，縮小尺寸的硅晶體管的截止電流太大，可能造成電荷泄漏；以及電容占用過大的面積。、tc存儲...
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