技術(shù)編號:40402039
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于鈣鈦礦太陽能電池制備,特別涉及一種復(fù)合傳輸層和鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法。背景技術(shù)、鈣鈦礦太陽能電池通常的器件結(jié)構(gòu)包括正型n-i-p電池器件和反型p-i-n電池器件,其中正型器件是指從光入射面開始依次至少包括:透明導(dǎo)電層、電子傳輸層、鈣鈦礦活性層、空穴傳輸層和背電極,反型器件是指從光入射面開始依次至少包括:透明導(dǎo)電層、空穴傳輸層、鈣鈦礦活性層、電子傳輸層和背電極。相對正型器件,反型器件不需要使用具有高光催化活性的tio以及貴價(jià)空穴傳輸材料spiro-ometad,可低溫制備、工藝...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。