技術(shù)編號：40441841
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請中實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造，具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及cmos電路。背景技術(shù)、在工藝制程節(jié)點(diǎn)在nm及以下的芯片的制造過程中，通常利用應(yīng)力記憶技術(shù)（stress?memorization?technique，smt）改善晶體管的電學(xué)性能。具體的，smt工藝可以在源極/漏極離子注入工藝完成后進(jìn)行，通過在mosfet的溝道區(qū)域誘發(fā)應(yīng)力來提高載流子的遷移率，從而加快mosfet的響應(yīng)速度。、在現(xiàn)有的smt工藝中，在mosfet的溝道區(qū)域誘發(fā)應(yīng)力主要通過以下方式實(shí)現(xiàn)：在完成源...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。