技術(shù)編號(hào):40443415
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于晶圓缺陷檢測(cè),具體的說(shuō),涉及一種全角度斜入射的暗場(chǎng)照明系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體制造工藝的快速發(fā)展其對(duì)晶圓表面缺陷尺寸的檢測(cè)要求也越來(lái)越高。目前晶圓缺陷檢測(cè)的方式主要有兩種,明場(chǎng)缺陷檢測(cè)技術(shù)和暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)技術(shù)。明場(chǎng)缺陷檢測(cè)技術(shù)是通過(guò)收集待測(cè)表面的反射光或透射光進(jìn)而形成圖像;暗場(chǎng)缺陷檢測(cè)技術(shù)則是一種通過(guò)收集待測(cè)樣品表面的散射信號(hào)來(lái)檢測(cè)缺陷的非接觸式光學(xué)檢測(cè)技術(shù)。該技術(shù)相較于明場(chǎng)照明檢測(cè),由于其暗場(chǎng)照明的特征,具有高對(duì)比度,高精度,背景噪聲小,無(wú)損檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于晶圓缺陷檢測(cè)...
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