技術(shù)編號：40450191
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開總的來說涉及沉積薄膜的方法。具體地，本公開文本涉及用于利用可流動含硅膜來填充窄溝槽的工藝。背景技術(shù)、在微電子器件制造中，對于許多應(yīng)用而言，需要填充具有大于:的深寬比(ar)的窄溝槽而無空隙。一種應(yīng)用用于淺溝槽隔離(sti)。對于這種應(yīng)用，膜需要在整個溝槽上是高質(zhì)量的(具有例如小于的濕法蝕刻速率比率)而很少泄漏。隨著結(jié)構(gòu)尺寸的減小和深寬比的增加，經(jīng)沉積的可流動膜的后固化方法變得困難。導(dǎo)致在整個被填充的溝槽上具有不同組分的膜。、介電膜的常規(guī)等離子體增強化學(xué)氣相沉積(pecvd)在窄...
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