技術(shù)編號:4712204
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型屬于區(qū)熔的。背景技術(shù)區(qū)熔提純是是一種十分有效的物理提純方法。區(qū)熔提純是在一個相對長的固體原料中,有一個短的熔區(qū)緩慢地從一端移向另一端,這一過程可以重復(fù)多次進(jìn)行,使材料中的雜質(zhì)在結(jié)晶過程中重新分布,雜質(zhì)逐漸向晶錠頭部或尾部移動,從而獲得超純材料。。這種技術(shù)可用于生產(chǎn)純度很的半導(dǎo)體、金屬、合金、無機(jī)和有機(jī)化合物晶體。區(qū)熔法分為懸浮區(qū)熔法和水平區(qū)熔法兩種。懸浮區(qū)熔法目前只應(yīng)用于單晶硅中,由于避免了來自坩堝的污染,雜質(zhì)含量比直拉硅單晶的氧含量低2 3個數(shù)...
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