技術(shù)編號(hào)：4754054
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種。技術(shù)背景現(xiàn)有技術(shù)中，很多情況下會(huì)用到光刻工藝，比如離子注入前，利用光刻工藝來定義 需要進(jìn)行離子注入的區(qū)域，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作過程中，利用光刻來定義淺溝槽隔離 區(qū)等。圖1為現(xiàn)有光刻工藝的實(shí)現(xiàn)流程圖。如圖1所示，主要包括步驟101 對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗、脫水和成膜處理。清洗包括濕法清洗和去離子水沖洗，以去除硅片表面的污染物，如顆粒、有機(jī)物以 及工藝殘余等；脫水致干烘培在一個(gè)封閉腔內(nèi)完成，以去除硅片表面的大部分水汽；脫水...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。