技術(shù)編號(hào):4996817
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體靶材制造,特別涉及一種。 背景技術(shù)濺射靶材是制造半導(dǎo)體芯片所必需的一種極其重要的關(guān)鍵材料,其原理是采用物理氣相沉積技術(shù)(PVD),用高壓加速氣態(tài)離子轟擊靶材,使靶材的原子被濺射出,以薄膜的形式沉積到硅片上,最終形成半導(dǎo)體芯片中復(fù)雜的配線結(jié)構(gòu)。濺射靶材具有金屬鍍膜的均勻性、可控性等諸多優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)濺射靶材的需求越來(lái)越大,濺射靶材已成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展不可或缺的關(guān)鍵材料。大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路及太陽(yáng)能電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。