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      一種提高碳納米管陰極場致電子發(fā)射性能的后處理方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:5265912

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      本發(fā)明涉及,屬于場發(fā)射顯示器領(lǐng)域。背景技術(shù)碳納米管自1991年被發(fā)現(xiàn)以來,已成為碳材料領(lǐng)域的一個研究熱點(diǎn),是物理、化學(xué)和材料科學(xué)最前沿的研究領(lǐng)域之一。碳納米管具有獨(dú)特的準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu),表現(xiàn)出特殊的力學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)等性質(zhì),可望在納米電子器件、儲能、場發(fā)射與平板顯示、導(dǎo)電和電磁屏蔽以及結(jié)構(gòu)增強(qiáng)等眾多領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。在碳納米管所具有的眾多特性之中,場致發(fā)射性能是尤其受到矚目。利用這種性能,可以制備場發(fā)射冷陰極材料,應(yīng)用于場致發(fā)射平板顯示器(Field Emi...
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