技術編號：5269209
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了，通過一個簡單的低費用的裝置,用電場沉積法在各種玻璃或硅基體上快速制備產(chǎn)生光滑和均勻的二氧化鈦納米薄膜。本發(fā)明工藝簡單、成本低廉、所需設備簡單，處理條件溫和，所得薄膜均一性好。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及納米材料制備方法，具體說是一種二氧化鈦納米薄膜的制備 方法。 背景技術 [0002] 納米二氧化鈦是一種寬禁帶寬度的半導體材料，有著優(yōu)異的光學，電學及化學穩(wěn) 定性化學性質(zhì)，已被廣泛應用于半導體、傳感器、介電材料、涂料和催化劑領域...
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