技術(shù)編號(hào):5269252
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種在SOI硅片上制備微機(jī)械懸空結(jié)構(gòu)的方法。對(duì)懸空結(jié)構(gòu)及其固定結(jié)構(gòu)采用不同的槽寬設(shè)計(jì),其中,固定結(jié)構(gòu)的槽寬明顯大于懸空結(jié)構(gòu),寬槽底部經(jīng)刻蝕首先到達(dá)或更加接近SiO2層,再通過(guò)各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的Si層分離,將窄槽間的梁釋放,形成具有平整底面的懸空結(jié)構(gòu),同時(shí)去除固定結(jié)構(gòu)與懸空結(jié)構(gòu)連接區(qū)底部的Si以及固定結(jié)構(gòu)與其它結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域底部的Si,使得固定結(jié)構(gòu)與窄槽下方的Si層及其它結(jié)構(gòu)隔離,從而使不同的固定結(jié)構(gòu)間相互絕緣。本發(fā)...
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