技術(shù)編號：5272073
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)屬于納米光刻領(lǐng)域。特別涉及使用核殼結(jié)構(gòu)納米球反相多孔陣列模板結(jié)合后期反應(yīng)離子刻蝕修飾獲得適用于高密度單元尺寸可控的納米點(diǎn)陣列制備方法。背景技術(shù) 二維規(guī)整納米點(diǎn)陣列由于其具有特殊的結(jié)構(gòu)和性能具有很高的應(yīng)用價(jià)值，目前已經(jīng)被廣泛用于高密度量子式磁記錄、光子晶體、生物傳感器和光電子器件等多個(gè)領(lǐng)域。目前為止，有許多方法制備納米點(diǎn)陣列。目前常用的是自上而下的光刻掩膜技術(shù)，這種方法精度高、可控性好，但是成本高，設(shè)備復(fù)雜；同時(shí)還有電子束刻蝕和聚焦離子束刻蝕的方法，這...
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