技術(shù)編號：5276671
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種電化學法制備多孔硅的雙槽裝置，屬于制備多孔硅的裝置。背景技術(shù) 目前多孔硅的制備方法主要有電化學法(陽極腐蝕)、銹蝕火花腐蝕水熱腐蝕等。電化學法按其裝置可分為雙槽電化學法和單槽電化學法。其原理為在氫氟酸-乙醇腐蝕溶液的環(huán)境下讓電流穿過硅基底，硅表面靠近電極陰極的一側(cè)被逐漸有選擇地腐蝕，形成多孔硅多孔狀結(jié)構(gòu)。單槽電化學法制備多孔硅的過程是基于電偶電流的產(chǎn)生。在硅襯底的背面鍍上一層金屬層作為電極(一般為鉑)，將其放置在電解質(zhì)溶液中。硅襯底和其背面的...
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