技術(shù)編號(hào)：5287008
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于納米尺度間隙電極對(duì)的制備方法，具體涉及在一對(duì)金屬電極之間實(shí)現(xiàn)納 米尺度間隙的方法。背景技術(shù)現(xiàn)在半導(dǎo)體工業(yè)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)到了90納米，并正在繼續(xù)向更小尺度推進(jìn)。人們正在 尋找能夠替代硅器件的納電子器件，納電子器件的研究是目前研究的一個(gè)熱點(diǎn)。制備納電 子器件的關(guān)鍵工藝是制備具有幾納米到幾十納米尺度間隙的電極對(duì)，為此人們開發(fā)了各種 不同的制備工藝，例如電子束光刻(Appll. Phys. Lett. Vol.80, 865， 2002);機(jī)械可控?cái)?...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。