技術(shù)編號:5288368
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于N型或P型硅片的光助電化學(xué)刻蝕裝置,能對大面 積硅片進(jìn)行長時(shí)間的均勻濕法深刻蝕,屬于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域。背景技術(shù)基于硅材料的高深寬比微細(xì)結(jié)構(gòu)的制作,在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、光子晶 體、微傳感器、X射線成像器件、生物工程芯片和太陽能電池和側(cè)向外延襯 底等有著重要的地位。目前國內(nèi)硅基HARMS的加工方法主要有三 種。第一種方法是激光微加工,適合于加工分立的單個(gè)通孔。其不足之處在 于串行操作、效率低、對位精度差,不適合于大規(guī)模陣列的制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。