技術(shù)編號：5291980
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)材料生長領(lǐng)域，尤其涉及一種。背景技術(shù)in-v族化合物半導(dǎo)體材料在發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器、探測器，及電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用。固體照明是現(xiàn)在最熱門的課題，氮化鎵(GaN)是固體照明的一種重要材料，而提高光萃取效率就是固體照明的核心課題。其中使用圖形襯底可有效的減少外延層與異質(zhì)襯底之間由于晶格失配和熱失配帶來的應(yīng)力積聚，提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率。圖形襯底發(fā)展初期，由于工藝技術(shù)的限制， 一般采用微米量級的圖形。近年來陽極氧化鋁(anodic a...
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