技術(shù)編號：5836230
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及微機電MEMS器件的微形貌測試，具體是一種針對硅制 MEMS器件中的溝槽側(cè)壁形貌進行測試的基于紅外白光干涉技術(shù)的微結(jié)構(gòu)形 貌測試方法，尤其針對高深寬比的深溝槽結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著微機電系統(tǒng)MEMS的發(fā)展，對微結(jié)構(gòu)所提出的要求也越來越高，對 于現(xiàn)在MEMS高深寬比微細結(jié)構(gòu)(即高深寬比的深溝槽結(jié)構(gòu))來說，如采 用側(cè)壁電容取樣的結(jié)構(gòu)和諧振陀螺的梳齒結(jié)構(gòu)，側(cè)壁粗糙度直接影響著微機械 器件的性能，如驅(qū)動力、使用頻率范圍、靈敏度和位移量等；現(xiàn)在MEMS 高深寬...
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