技術(shù)編號：585763
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在此描述的實施例總體涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件。 背景技術(shù)近年來，包括GaN類半導(dǎo)體的藍色和/或綠色的發(fā)光二極管(LED)的研究開發(fā)在進展。在FU(Face Up，面朝上)型的LED中，一般使用ITOandium Tin Oxide 氧化銦錫) 等氧化物透明導(dǎo)電體作為P型GaN層上的透明導(dǎo)電體。為了降低LED的驅(qū)動電壓，ITO與ρ型GaN層間的接觸電阻的減小不可或缺。但是，現(xiàn)狀是，ITO與P型GaN層之間的肖特基勢壘高度高為3. &V，使接觸電阻減小是困難...
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