技術(shù)編號：5868382
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及。背景技術(shù)近十幾年來，半導(dǎo)體工業(yè)以超乎尋常的速度發(fā)展，在集成電路生產(chǎn)方面取得了巨大的成就。目前，已經(jīng)能夠生產(chǎn)出高性能的SOC(系統(tǒng)級芯片)產(chǎn)品。隨著半導(dǎo)體工藝進入到超深亞微米級，一些關(guān)鍵問題影響到半導(dǎo)體電路的生產(chǎn)，其中包括NBTI (負偏壓下溫度不穩(wěn)定性)效應(yīng)，即對器件施加負的柵極電壓和溫度應(yīng)力條件下所發(fā)生的一系列現(xiàn)象，NBTI效應(yīng)是影響CMOS器件可靠性的重要因素。由NBTI效應(yīng)引發(fā)的PM0SFET退化逐漸成為影響器件壽...
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