技術(shù)編號：5880231
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，具體涉及在非選擇性鍺硅外延工藝中籽硅層厚度的測量，屬于半導(dǎo)體。背景技術(shù)目前，諸如數(shù)字無線手機(jī)等低價(jià)、輕便、個(gè)人化的通訊器材以及數(shù)字機(jī)頂盒、衛(wèi)星直播、汽車防撞系統(tǒng)、PDA等娛樂信息科技產(chǎn)品迅猛發(fā)展，使高速低噪聲的射頻器件成為無線通信市場中IC制造商競爭的目標(biāo)。鍺硅薄膜材料是一種新的能帶工程技術(shù)，是新一代的硅基材料，其散熱性能優(yōu)于砷化鎵，微波性能與砷化鎵相近，而且在工藝上與硅元件制造工藝兼容。因此，鍺硅材料在制作微電子及光電子器件方面具有很廣闊的應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。