技術(shù)編號(hào)：5950936
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種磁阻傳感器，尤其是一種具有聚磁層的線性薄膜磁阻傳感器，屬于薄膜磁阻傳感器的。背景技術(shù)磁阻傳感器本體被廣泛的應(yīng)用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域(計(jì)算機(jī)硬盤，MRAM),電流的測(cè)量領(lǐng)域，位置測(cè)量，物體的移動(dòng)和速度，角度及角速度等的測(cè)量領(lǐng)域。磁阻傳感器本體有多層膜結(jié)構(gòu)，自旋閥結(jié)構(gòu)。多層膜結(jié)構(gòu)包括磁性層和非磁性層，它們交替的沉積在襯底上。自旋閥結(jié)構(gòu)包括非磁性釘扎層(Mnlr，MnPt)，磁性被釘扎層(CoFeB、CoFe,或是 SAF 結(jié)構(gòu) CoFe/Ru/CoFe...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。