技術(shù)編號(hào)：6079545
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，屬于電子元器件測試領(lǐng)域，包括步驟S1對雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行模擬高壓放電，其中，高壓放電時(shí)間為100ms；S2對完成模擬高壓放電后的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅進(jìn)行基本參數(shù)測試，以判斷基本參數(shù)是否符合預(yù)設(shè)值，若符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅合格，若不符合則判斷雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅已損壞。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及一種，屬于電子元器件測試領(lǐng)域。 背景技術(shù) [0002]在交流控制電機(jī)線路中，所用到的雙臺(tái)面結(jié)構(gòu)雙向可控硅因其工作的特殊性...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。