技術編號：6097598
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬一種氣體傳感器，特別涉及一種有機單分子膜修飾的懸柵場效應型氣體傳感器及其制作工藝。懸柵場效應(SGFET)型氣體傳感器是一種用氣敏材料修飾于場效應晶體管的柵區(qū)，利用氣敏材料吸附某一種氣體后形成的電荷分布變化來改變柵區(qū)半導體的表面勢，從而引起場效應晶體管柵電壓的變化，導致檢測的漏電流改變的一種氣體傳感器。與本發(fā)明最為接近的現(xiàn)有技術為一篇文獻所公開，文獻題目是“識別H2和NH3的懸柵場效應晶體管(Recognition of the Hydrogena...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。