技術編號：6122596
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明通常涉及半導體晶片處理的領域。更具體地，本發(fā)明涉及 在時分多工刻蝕和淀積工藝過程中確定刻蝕工藝的終點。發(fā)明背景在許多微機電(MEMS)器件的制作過程中，需要完成材料層的 刻蝕，使其停止在下面的層上(例如，絕緣體上硅(SOI)-清除硅(Si) 層，停止在下面的二氧化硅(Si02)層上)。允許刻蝕工藝在第一層已 被移除之后的時間繼續(xù)進行可能導致下面的停止層的厚度減少，或者 導致特征輪廓劣化(在本領域中被稱為關于SOI應用的"凹槽")。結果，在刻蝕等等離子...
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