技術(shù)編號(hào)：6158627
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其涉及可溫度補(bǔ)償?shù)摹１尘凹夹g(shù)在傳統(tǒng)半導(dǎo)體壓力傳感器中，在硅襯底形成有成為應(yīng)變計(jì)電阻(gauge resistance)的擴(kuò)散電阻。多個(gè)應(yīng)變計(jì)電阻在低電阻的擴(kuò)散布線層電橋連接。從硅襯底背 面進(jìn)行蝕刻而形成隔膜(diaphragm)。應(yīng)變計(jì)電阻配置在隔膜的邊緣部分。例如在日本實(shí)開昭63-178353號(hào)公報(bào)中，記載了在形成有貫通孔的硅襯底上形成 由氧化膜、多晶硅襯底、氧化膜、應(yīng)變計(jì)等形成的隔膜的半導(dǎo)體壓力傳感器。此外，例如在日本特開昭63-4217...
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