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      Cmos mems電容式濕度傳感器的制造方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:6186136

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      本發(fā)明涉及一種CMOSMEMS電容式濕度傳感器,其特征是包括叉指狀的上電極和叉指狀的下電極,下電極穿過SiO2氧化層設(shè)置在硅基底的同一表面上,上電極位于下電極的上方,在上電極和下電極之間、上電極的叉指之間、下電極的叉指之間填充濕度敏感介質(zhì);在所述上電極的上方設(shè)置鋁條,鋁條位于上電極、下電極的叉指之間,在鋁條和上電極之間填充濕度敏感介質(zhì);在所述上電極和下電極正下方的硅基底上形成空腔,使下電極以及下電極叉指間的濕度敏感介質(zhì)直接與空氣接觸。所述上電極的叉指與下電...
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