技術(shù)編號：6232559
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了一種，來獲得二氧化硅的膜厚。本發(fā)明不再通過不斷進行實驗，直至二氧化硅的膜厚達到要求的方法。而是通過模擬在給定溫度條件下干氧在硅基片中擴散至給定厚度的過程，得到擴散系數(shù)與溫度之間的關(guān)系，進而計算任意溫度下的擴散系數(shù)。根據(jù)計算得到的擴散系數(shù)，可以模擬干氧在給定條件下在硅基片中的擴散，預(yù)先計算出SiO2的膜厚，在小范圍內(nèi)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)，并尋找出最佳工藝參數(shù)，縮小實驗范圍，提高爐管柵氧程式建立效率，減少實驗次數(shù)。專利說明 [0001] 本發(fā)明涉及微...
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