技術編號：6351893
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路存儲器裝置，且尤其涉及一種全NMOS四晶體管非易失性存儲器(NVM)單兀,其利用反向福勒-諾德海姆隧穿(reverse Fowler-Nordheim tunneling)來進行編程。背景技術2007年I月16日頒于拋坡威恩(Poplevine)等人的共同轉讓的第7，164，606號美國專利揭示一種全PMOS四晶體管非易失性存儲器(NVM)單元，其利用反向福勒-諾德海姆隧穿來進行編程。 參看圖1，如第7，164，606號美國專利所揭示，根...
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