技術(shù)編號(hào):6368661
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開內(nèi)容總的來(lái)說(shuō)涉及集成電路器件的設(shè)計(jì)和制造,更具體地來(lái)說(shuō),涉及用于形成鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)器件的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)在快速發(fā)展的半導(dǎo)體制造工業(yè)中,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FinFET器件越來(lái)越多地用于許多邏輯和其他應(yīng)用,并且集成到各種不同類型的半導(dǎo)體器件中。FinFET器 件通常包括具有高縱橫比的半導(dǎo)體鰭,其中,形成晶體管的溝道和源極/漏極區(qū)域。在半導(dǎo)體鰭的一部分的側(cè)面的上方并沿著半導(dǎo)體鰭的一部分的側(cè)面形成柵極。鰭的使用增加了用于相...
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