技術(shù)編號(hào)：6394777
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種可提高傳輸速度的儲(chǔ)存裝置，特別涉及一種利用多層數(shù)據(jù)緩沖區(qū)實(shí)施壓縮機(jī)制，而進(jìn)以提高傳輸速度的儲(chǔ)存裝置。背景技術(shù)目前由硅晶片存儲(chǔ)器作為固態(tài)儲(chǔ)存媒體(如閃存)已日漸普及，由于硅晶片存儲(chǔ)器具低耗電、可靠度高、容量大與存取速度快等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛應(yīng)用于如CF、MS、SD、MMC、SM等的小型存儲(chǔ)卡與USB隨身碟等不同應(yīng)用領(lǐng)域的儲(chǔ)存裝置。該等儲(chǔ)存裝置的組成不外乎由控制器及固態(tài)儲(chǔ)存媒體等所構(gòu)成。請(qǐng)參考圖1，其是該等儲(chǔ)存裝置的一內(nèi)部電路。該儲(chǔ)存裝置A內(nèi)部配...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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