技術(shù)編號(hào):6424702
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子加工中刻蝕過(guò)程模擬領(lǐng)域,提供了一種用蒙特卡羅(MC)和元胞自動(dòng)機(jī)(CA)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的等離子干法三維刻蝕過(guò)程的模擬方法。背景技術(shù)隨著技術(shù)的進(jìn)步,單個(gè)元器件的尺寸不斷縮小,而單片集成電路芯片的面積越來(lái)越大,這使得集成電路的集成度越來(lái)越高,使得集成電路系統(tǒng)向著更復(fù)雜、更高性能和更經(jīng)濟(jì)的方向發(fā)展。目前,集成電路的應(yīng)用涉及各個(gè)領(lǐng)域,集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為未來(lái)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基本組成部分,全球競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。這些無(wú)疑給大規(guī)模集成電路發(fā)展的帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。隨著集成電路...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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