技術(shù)編號：6561270
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高壓M0S器件模型，特別是一種采用外接帶有溫度系 數(shù)的可變電阻的方法來精確模擬不同溫度條件下"準(zhǔn)飽和效應(yīng)"的高壓 M0S器件模型。背景技術(shù)目前，高壓MOS器件在集成電路產(chǎn)品中得到越來越廣泛的應(yīng)用，如用 于液晶顯示器驅(qū)動器等，因此，高壓集成電路設(shè)計中對準(zhǔn)確、高效的高壓 MOS器件模型的要求就變得非常迫切。在這種背景之下，許多高壓M0S器 件模型得以開發(fā)并在工業(yè)界被逐漸的應(yīng)用。高壓MOS器件模型往往會采用 外接可變電阻的方法來模擬"準(zhǔn)飽和效應(yīng)"(...
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