技術編號：6602918
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是關于閃存技術，特別是關于以區(qū)塊為基礎快閃存儲裝置及其操作方法。 背景技術電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)及閃存包括將電荷儲存在通道與場效晶體 管柵極之間的存儲單元。所儲存的電荷會影響晶體管的閾值電壓，且閾值電壓會根據(jù)所儲 存電荷改變而可以用來感測指示數(shù)據(jù)。其中一種非常慣用的電荷儲存存儲單元被稱為一浮 動柵極存儲單元。在一浮動柵極存儲單元中，其會儲存電荷于通道與柵極之間的一導電材 料層中。另一種電荷儲存存儲單元型態(tài)被稱為一電荷捕捉存儲單元，其...
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