技術(shù)編號：6736510
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及濺射靶及光信息記錄介質(zhì)用薄膜(特別是作為保護(hù)膜使用)及其制造方法，通過采用含SiO2系氧化物的材料，使鄰接的反射層、記錄層不易發(fā)生劣化，且能密合性良好地進(jìn)行高速成膜。背景技術(shù) 近年來，不需磁頭的可重寫高密度光信息記錄介質(zhì)的高密度記錄光盤技術(shù)被開發(fā)，并急速的此起高度的關(guān)心。此種光盤是分為ROM(只讀型，read-only)、R(寫入一次型，write-once)、及RW(可重寫型，rewritable)三種，但以RW(RAM)型所使用的相變化方式最...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。